在半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅因其高導(dǎo)熱性、高崩潰電場(chǎng)強(qiáng)度和最高電流密度，被視為替代硅的材料，特別是在半導(dǎo)體高功率元件的應(yīng)用中。

碳化硅MOSFET和SBD結(jié)合的功率模塊在光伏發(fā)電應(yīng)用中，能夠大幅提升轉(zhuǎn)換效率，降低能量損耗，延長(zhǎng)設(shè)備循環(huán)壽命，降低生產(chǎn)成本。

在5G基建、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)和特高壓等領(lǐng)域，碳化硅器件的應(yīng)用可以提升電源整體效率，提高功率密度，降低成本。

碳化硅在新能源汽車行業(yè)中的應(yīng)用尤為突出。

使用碳化硅功率器件有助于實(shí)現(xiàn)電力電子驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)輕量化、高效化，廣泛應(yīng)用于主驅(qū)逆變器、OBC、DC/DC轉(zhuǎn)換器和非車載充電樁等關(guān)鍵部件，可減輕汽車重量，提升續(xù)航里程，減少電控系統(tǒng)體積。

此外，碳化硅在航空航天、醫(yī)療、儲(chǔ)能、軍工等領(lǐng)域也有廣泛應(yīng)用。

例如，碳化硅纖維制備的SiC/SiC復(fù)合材料在航空發(fā)動(dòng)機(jī)上的應(yīng)用，可以替代高溫合金，提高耐熱性能。

碳化硅X射線探測(cè)器在醫(yī)療領(lǐng)域的應(yīng)用，有助于提高疾病診斷效率和治療效果。